RJK0651DPB-00/J5
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：14mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道
RJK0651DPB-00/J5的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）25A
栅源极阈值电压-
漏源导通电阻14mΩ @ 12.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）45W(Tc)
类型N沟道
RJK0651DPB-00/J5
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| RJK0651DPB-00/J5 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：14mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道 | RENESAS(瑞萨) |  | 102.64 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
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10+:￥11.12
30+:￥10.39
100+:￥9.66
500+:￥9.34
1000+:￥9.18
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