FET 类型P 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）50V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）30A（Tc）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）170nC @ 20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3200pF @ 25V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）65 毫欧 @ 30A，10V

安装类型通孔

供应商器件封装TO-220AB

封装/外壳TO-220-3

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs