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RFP2N12 / MOSFET
RFP2N12的规格信息
RFP2N12的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:2 A

Vds-漏源极击穿电压:120 V

Rds On-漏源导通电阻:1750 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:25000 mW

封装 / 箱体:TO-220-3

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:17 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:30 ns

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:17 ns

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深圳市坤融电子有限公司RFP2N12航都大厦10I0755-23990975
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深圳市芯幂科技有限公司RFP2N12深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市微碧半导体有限公司RFP2N12L-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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RFP2N12及相关型号的PDF资料
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RFP2N122A, 120V and 150V, 1.750 Ohm, N-Channel Power MOSFETs INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO35.2 Kbytes共5页RFP2N12的PDF下载地址RFL4N12,RFL1N12,RFL1N12L,IRF220,IRF230,IRFD210,RFP15N05L,IRFAC40,RFM12N18,RFP2N12L
RFP2N12L2A, 120V, 1.750 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO35.35 Kbytes共5页RFP2N12L的PDF下载地址HUF76413D3,HUF76639P3,RFP12N10L,HUF76132SK8,HUF76429D3,RFP25N05L,HUFA76504DK8,HUF76419D3,HUF76645P3,HUF76105DK8
RFP2N12LN-Channel 100-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO938.44 Kbytes共7页RFP2N12L的PDF下载地址无
RFP2N12的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子		RFP2N12Harris CorporationN-CHANNEL, MOSFET$0.43000
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