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RFD20N03 / MOSFET
RFD20N03的规格信息
RFD20N03的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:20 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:90000 mW

封装 / 箱体:TO-251-3

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:32 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:30 ns

典型关闭延迟时间:12 ns

典型接通延迟时间:10 ns

供应商RFD20N03
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深圳市天卓伟业电子有限公司RFD20N03SM深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司RFD20N03深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司RFD20N03SM航都大厦10I0755-23990975
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集好芯城RFD20N03深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司RFD20N03SM9A深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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芯莱德电子（香港）有限公司RFD20N03SM9AR4770深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市凌特半导体科技有限公司RFD20N03SM9AR4770广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市星宇佳科技有限公司RFD20N03SM9A深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市微碧半导体有限公司RFD20N03SM-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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深圳市惊羽科技有限公司RFD20N03SM深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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上海山峻电子有限公司RFD20N03SM9AR4770上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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RFD20N0320A, 30V, 0.025 Ohm, N-Channel Power MOSFETs INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO76.53 Kbytes共8页RFD20N03的PDF下载地址HUF76107D3,HUF76107P3,HUF76121D3,HUF76129D3,HUF76107D3,HUF76107P3,HUF76121D3,RFD16N03L,HUF76129D3,HUF76143P3
RFD20N03SM20A, 30V, 0.025 Ohm, N-Channel Power MOSFETs INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO76.53 Kbytes共8页RFD20N03SM的PDF下载地址HUF76107D3,HUF76107P3,HUF76121D3,HUF76129D3,HUF76107D3,HUF76107P3,HUF76121D3,RFD16N03L,HUF76129D3,HUF76143P3
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Rochester Electronics		RFD20N03Harris CorporationM:F20N03500 : $0.74
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