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RFD16N03LSM / MOSFET
RFD16N03LSM的规格信息
RFD16N03LSM的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:16 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :10 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:90 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:27 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:95 ns

系列:RFD16N03

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:15 ns

供应商RFD16N03LSM
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深圳市辉华拓展电子有限公司RFD16N03LSM深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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”13725596657“17503034873
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RFD16N03LSM16A, 30V, Avalanche Rated N-Channel Logic Level Enhancement-Mode Power MOSFETs FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO130.42 Kbytes共7页RFD16N03LSM的PDF下载地址RFP30N06LE,RFP70N03,RFD16N03L,RF1K49088,RLD03N06CLE,HUF76145P3,RFG60P03,HUF76129P3,RFG70N06,HUF76107D3
RFD16N03LSM16A, 30V, 0.025 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO107.16 Kbytes共8页RFD16N03LSM的PDF下载地址HUF76143P3,HUF76129D3,RFP42N03L,HUF76145P3,HUF76129P3,HUF76107D3,HUF76107P3,HUF76132P3,HPLR3103,HUF76137P3
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RFD16N03LSMHarris Corporation286 : $0.3
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RFD16N03LSMHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET$1.04000
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