FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：8A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：25nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1440pF @ 25V

Vgs（最大值）：±30V

功率耗散（最大值）：850mW（Ta），20W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：300 毫欧 @ 4A，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

封装形式Package：CPT

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：250V

连续漏极电流ID：8A

无铅情况/RoHs：否