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RCD050N20TL /MOSFET
RCD050N20TL的规格信息
RCD050N20TL的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:5 A

Rds On-漏源导通电阻:470 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.25 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:9 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:20 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:11 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22 ns

典型接通延迟时间:17 ns

零件号别名:RCD050N20

单位重量:340 mg

供应商RCD050N20TL
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