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R6030ENX /MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
R6030ENX的规格信息
R6030ENX的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:30 A

Rds On-漏源导通电阻:115 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:85 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:86 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

高度:15.4 mm

长度:10.3 mm

系列:Super Junction-MOS EN

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.8 mm

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:60 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:55 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:190 ns

典型接通延迟时间:40 ns

零件号别名:R6030ENX

单位重量:2.565 g

供应商R6030ENX
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现代芯城(深圳)科技有限公司R6030ENXwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司R6030ENX深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司R6030ENX航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司R6030ENX深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司R6030ENX深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市毅创腾电子科技有限公司R6030ENX深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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集好芯城R6030ENX深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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