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系列-

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）25A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）15V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）182 毫欧 @ 12.5A，15V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）7V @ 2.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）57nC @ 15V

Vgs（最大值）±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1900pF @ 100V

FET 功能-

功率耗散（最大值）85W（Tc）

工作温度150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-3PF

封装/外壳TO-3P-3 整包