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R6009KNX /MOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
R6009KNX的规格信息
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制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:9 A

Rds On-漏源导通电阻:500 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:16.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:48 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Bulk

系列:Super Junction-MOS KN

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:2.3 S

下降时间:28 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:33 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:37 ns

典型接通延迟时间:20 ns

零件号别名:R6009KNX

单位重量:10 mg

供应商R6009KNX
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