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R6008ANX /MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A
R6008ANX的规格信息
R6008ANX的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:800 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:21 nC

Pd-功率耗散:50 W

配置:Single

封装:Bulk

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:2.5 S

下降时间:35 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:25 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:60 ns

典型接通延迟时间:25 ns

零件号别名:R6008ANX

单位重量:6 g

供应商R6008ANX
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R6008ANXROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A1+:¥21.6
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100+:¥15.68
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5000+:¥9.06500+:¥11.1
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10000+:¥8.96
25000+:¥8.75