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QJD1210SA1 /MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
QJD1210SA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装散装

系列-

零件状态停產

FET 类型2 N-通道(双)

FET 功能标准

漏源电压(Vdss)1200V(1.2kV)

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)100A

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)17 毫欧 @ 100A,15V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.6V @ 34mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)330nC @ 15V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)8200pF @ 10V

功率 - 最大值520W

工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型底座安装

封装/外壳模块

供应商器件封装模块

供应商QJD1210SA1
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深圳市宇浩扬科技有限公司QJD1210SA1深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市芯幂科技有限公司QJD1210SA1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司QJD1210SA1深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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18898775818,13612825669
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深圳市宏创新业电子有限公司QJD1210SA1深圳市福田区深南中路赛格大厦29楼2911A室0755-82549537/82549546
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