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QJD1210SA1 /MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
QJD1210SA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装散装

系列-

零件状态停產

FET 类型2 N-通道(双)

FET 功能标准

漏源电压(Vdss)1200V(1.2kV)

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)100A

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)17 毫欧 @ 100A,15V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.6V @ 34mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)330nC @ 15V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)8200pF @ 10V

功率 - 最大值520W

工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型底座安装

封装/外壳模块

供应商器件封装模块

供应商QJD1210SA1
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