FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：1200V（1.2KV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：25 毫欧 @ 100A，20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 10mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：500nC @ 20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：10200pF @ 800V

功率 - 最大值：1080W

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：模块

供应商器件封装：模块

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs