制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSMT-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:7 A, 5.5 A

Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms, 37 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V, 2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:7.2 nC, 10 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:2.7 S, 3.3 S

下降时间:5.7 ns, 20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns, 12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns, 40 ns

典型接通延迟时间:7.2 ns, 8 ns

零件号别名:QH8MA3