制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSMT-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:4.5 A, 3 A

Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms, 55 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:8.4 nC, 7.8 nC

最小工作温度:-

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.5 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:1.4 S, 1.9 S

下降时间:5.7 ns, 8.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns, 16.8 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns, 27.6 ns

典型接通延迟时间:7.2 ns, 7.9 ns

零件号别名:QH8MA2