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PXFE211507FC-V1-R0 /150W, SI LDMOS, 28V, 2110-2170MH
PXFE211507FC-V1-R0的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

包装标准卷带

系列-

零件状态有源

晶体管类型LDMOS

频率2.11GHz ~ 2.17GHz

增益18dB

电压 - 测试28V

额定电流（安培）10µA

噪声系数-

电流 - 测试900mA

功率 - 输出170W

电压 - 额定65V

封装/外壳H-37248G-4/2

供应商器件封装H-37248G-4/2

供应商PXFE211507FC-V1-R0
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深圳市华兴微电子有限公司PXFE211507FC-V1-R0华强广场A座14B13202105858
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深圳市芯幂科技有限公司PXFE211507FC-V1-R0深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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PXFE211507FC-V1-R0Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 170 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz CREE[Cree, Inc]CREE[Cree, Inc]的LOGO587.63 Kbytes共8页PXFE211507FC-V1-R0的PDF下载地址无
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