PXFC191507FC-V1-R250的供应商，PXFC191507FC-V1-R250规格参数，PXFC191507FC-V1-R250的PDF资料

PXFC191507FC-V1-R250 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PXFC191507FC-V1-R250的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vds-漏源极击穿电压:65 V

Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms

增益:20.5 dB

输出功率:150 W

最大工作温度:+ 225 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:H-37248G-4/2

封装:Reel

工作频率:1805 MHz to 1990 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:Wolfspeed / Cree

通道数量:1 Channel

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:250

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

PXFC191507FC-V1-R250

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深圳市仓实科技有限公司	PXFC191507FC-V1-R250	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦3104	17080955875	李先生	询价

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PXFC191507FC-V1-R250	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	Wolfspeed / Cree		416.77 Kbytes	共8页		无
PXFC191507FC-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	Cree/Wolfspeed		465.57 Kbytes	共8页		无

PXFC191507FC-V1-R250的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Mouser 贸泽电子	PXFC191507FC-V1-R250	Wolfspeed / Cree	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥548.8636

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