晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电阻器-基底(R1)(欧姆):4.7k
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):200 @ 1mA,5V
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA
电流-集电极截止(最大值):1µA
功率-最大值:300mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-363
封装形式Package:TSSOP
极性Polarity:NPN+PNP
集电极最大允许电流Ic:100mA
集电极_发射极击穿电压VCEO:50V
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs