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PUMD6/ZLF /PUMD6 Series 50 V 100 mA NPN/PNP Resistor-Equipped Transistor - SOT-363
PUMD6/ZLF的规格信息
PUMD6/ZLF的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电阻器-基底(R1)(欧姆):4.7k

不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):200 @ 1mA,5V

不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA

电流-集电极截止(最大值):1µA

功率-最大值:300mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-363

封装形式Package:TSSOP

极性Polarity:NPN+PNP

集电极最大允许电流Ic:100mA

集电极_发射极击穿电压VCEO:50V

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商PUMD6/ZLF
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