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PUMD3,135 /NXP Semiconductors/分立半导体产品
PUMD3,135的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：10,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：10k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：10k

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：30 @ 5mA，5V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：150mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA

频率 - 跃迁：-

功率 - 最大值：300mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：6-TSSOP

其它名称：934050170135

供应商PUMD3,135
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