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PTA12N60 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：700mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道

PTA12N60的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）600V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）12A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻700mΩ @ 6A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）70W(Tc)

类型N沟道

PTA12N60

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PTA12N60	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：700mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道	PIP(丽隽)		684.56 Kbytes	共8页		无

PTA12N60的全球分销商及价格

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立创商城	PTA12N60	PIP(丽隽)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：700mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥2.6 10+:￥1.93 30+:￥1.8 100+:￥1.68 500+:￥1.62 1000+:￥1.6

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