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PTA09N50 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道

PTA09N50的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）500V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）9A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻750mΩ @ 5A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）50W(Tc)

类型N沟道

PTA09N50

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PTA09N50	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道	PIP(丽隽)		624.62 Kbytes	共9页		无

PTA09N50的全球分销商及价格

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立创商城	PTA09N50	PIP(丽隽)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥2.2 10+:￥1.65 30+:￥1.55 100+:￥1.45 500+:￥1.4 1000+:￥1.38

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