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PMV213SN,215 /MOSFET TAPE13 PWR-MOS
PMV213SN,215的规格信息
PMV213SN,215的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:1.9 A

Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:3 mm

晶体管类型:1 N-Channel Micro Trench MOSFET

宽度:1.4 mm

商标:Nexperia

下降时间:3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:9.5 ns

典型接通延迟时间:5.5 ns

零件号别名:PMV213SN T/R

单位重量:8 mg

供应商PMV213SN,215
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深圳市辉华拓展电子有限公司PMV213SN,215深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司PMV213SN,215深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司PMV213SN,215深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995		朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司PMV213SN,215深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司PMV213SN,215深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司PMV213SN,215航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司PMV213SN,215深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司PMV213SN,215深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市德鸿芯科技有限公司PMV213SN,215龙华新区民治樟坑东明大厦15399990331 18165780858陈梦，李丽skype:lili2269002025qq@hotmail.comEmail:13480623438@163.COM询价
深圳市芯奕科技有限公司PMV213SN,215深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
上海三崧电子有限公司PMV213SN,215上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司PMV213SN,215深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司PMV213SN,215深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市宇浩扬科技有限公司PMV213SN,215深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市赛美科科技有限公司PMV213SN，215广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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PMV213SN,215MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236ABNexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO258.80 Kbytes共14页PMV213SN,215的PDF下载地址无
PMV213SN,215连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.9A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：250mΩ @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：280mW 类型：N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO345.58 Kbytes共13页PMV213SN,215的PDF下载地址无
PMV213SN,215的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
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Digi-Key 得捷电子		PMV213SN,215Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB$0.37000
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