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PMV16XNR /MOSFET 20V N-channel Trench MOSFET
PMV16XNR的规格信息
PMV16XNR的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:8.6 A

Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:13.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel Trench MOSFET

商标:Nexperia

下降时间:36 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:24 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:31 ns

典型接通延迟时间:9 ns

单位重量:8 mg

供应商PMV16XNR
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深圳市芯奕科技有限公司PMV16XNR深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司PMV16XNR深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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PMV16XNRMOSFET 20V N-channel Trench MOSFETNexperiaNexperia的LOGO717.67 Kbytes共15页PMV16XNR的PDF下载地址无
PMV16XNRMOSFET N-CH 20V SOT23Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO718.64 Kbytes共15页PMV16XNR的PDF下载地址无
PMV16XNR连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 6.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：510mW 类型：N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO373.74 Kbytes共16页PMV16XNR的PDF下载地址无
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Mouser 贸泽电子		PMV16XNRNexperiaMOSFET 20V N-channel Trench MOSFET1:¥3.6838
10:¥2.599
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.78422
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立创商城		PMV16XNRNexperia(安世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 6.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：510mW 类型：N沟道5+:￥0.727966
50+:￥0.544344
150+:￥0.510617
500+:￥0.476891
2500+:￥0.461901
5000+:￥0.454495
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