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PMPB95ENEAX /MOSFET 80V single N-channel Trench MOSFET
PMPB95ENEAX的规格信息
PMPB95ENEAX的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN-2020MD-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:4.1 A

Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:14.9 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

正向跨导 - 最小值:13.3 S

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:5 ns

供应商PMPB95ENEAX
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PMPB95ENEAXMOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO717.10 Kbytes共15页PMPB95ENEAX的PDF下载地址
PMPB95ENEAX连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:2.7V @ 250uA 漏源导通电阻:105mΩ @ 2.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.6W 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO717.10 Kbytes共15页PMPB95ENEAX的PDF下载地址
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PMPB95ENEAXNXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥1.533000+:¥1.46
9000+:¥1.3301
24000+:¥1.3
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PMPB95ENEAXNexperiaMOSFET 80V single N-channel Trench MOSFET1:¥3.7629
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
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10+:¥1.86
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100+:¥1.79