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PMPB85ENEAX /MOSFET 60V single N-channel Trench MOSFET
PMPB85ENEAX的规格信息
PMPB85ENEAX的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN-2020MD-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:4.4 A

Rds On-漏源导通电阻:72 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:9.2 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

正向跨导 - 最小值:11.5 S

下降时间:4.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3.5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10.5 ns

典型接通延迟时间:4 ns

单位重量:7.200 mg

供应商PMPB85ENEAX
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