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PMN120ENEX /MOSFET PMN120ENE SC-74
PMN120ENEX的规格信息
PMN120ENEX的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOP-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:3.1 A

Rds On-漏源导通电阻:123 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:7.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.4 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标:Nexperia

正向跨导 - 最小值:10.2 S

下降时间:6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:16 ns

典型接通延迟时间:6 ns

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