系列：TrenchMOS™
FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：7.9A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1020pF @ 20V
Vgs（最大值）：±12V
功率耗散（最大值）：5W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：50 毫欧 @ 2.8A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装形式Package：SO
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：20V
连续漏极电流ID：7.9A
无铅情况/RoHs：否