系列：TrenchMOS™
FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：14.9A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：42nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2100pF @ 25V
Vgs（最大值）：±25V
功率耗散（最大值）：6.9W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：19 毫欧 @ 9.2A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装形式Package：SO
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：30V
连续漏极电流ID：14.9A
无铅情况/RoHs：否