标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：TrenchMOS??

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：125mA

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：8 欧姆 @ 10mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：0.35nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：18.5pF @ 5V

功率 - 最大值：200mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：6-TSSOP

其它名称：568-2370-2934057621115PMGD8000LN T/R