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PMGD370XN,115 /NXP Semiconductors/分立半导体产品
PMGD370XN,115的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):740mA

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):440 毫欧 @ 200mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):650nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):37pF @ 25V

功率 - 最大值:410mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装:6-TSSOP

其它名称:568-2367-2934057728115PMGD370XN T/RPMGD370XN115

供应商PMGD370XN,115
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深圳市坤融电子有限公司PMGD370XN,115航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司PMGD370XN,115深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司PMGD370XN,115深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司PMGD370XN,115深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市高捷半导体有限公司PMGD370XN,115深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549
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深圳市科思奇电子科技有限公司PMGD370XN,115上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
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PMGD370XN,115NXP SemiconductorsFET - 阵列 TrenchMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH TRENCH DL 30V3000+:¥0.86
6000+:¥0.81
15000+:¥0.76
30000+:¥0.7
75000+:¥0.6699
150000+:¥0.65011+:¥2.55
10+:¥1.75
100+:¥1
1000+:¥0.81
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400+:¥0.48011+:¥8.93
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PMGD370XN,115NXP SemiconductorsFET - 阵列 TrenchMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH TRENCH DL 30V3000+:¥0.86
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Mouser 贸泽电子
PMGD370XN,115NXP SemiconductorsFET - 阵列 TrenchMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH TRENCH DL 30V3000+:¥0.86
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99000+:¥0.6699