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PMDPB80XP,115 /MOSFET 20V, Dual P-Channel Trench MOSFET
PMDPB80XP,115的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN-2020-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:3.7 A

Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV

Qg-栅极电荷:5.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:6.25 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Reel

晶体管类型:2 P-Channel

商标:Nexperia

下降时间:50 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:120 ns

典型接通延迟时间:6 ns

供应商PMDPB80XP,115
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PMDPB80XP,115NXP SemiconductorsFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V, Dual P-Channel Trench MOSFET3000+:¥1.93000+:¥1.78
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