标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.1A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：73 毫欧 @ 3.1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：2.9nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：170pF @ 15V

功率 - 最大值：510mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-HUSON（2x2）

其它名称：568-10760-2934066487115PMDPB56XN,115-ND