PJX8808_R1_00001
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:双N沟道
PJX8808_R1_00001的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)500mA
栅源极阈值电压900mV @ 250uA
漏源导通电阻400mΩ @ 500mA,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)300mW
类型双N沟道
PJX8808_R1_00001
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PJX8808_R1_00001 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:双N沟道 | PANJIT(强茂) |  | 375.79 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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 立创商城 | PJX8808_R1_00001 | PANJIT(强茂) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:双N沟道 | 10+:¥0.20785 100+:¥0.149303 300+:¥0.13855 1000+:¥0.127796 5000+:¥0.123017 10000+:¥0.120656
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