PJV1702_R1_00001
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):650mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 650mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道
PJV1702_R1_00001的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)650mA
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻380mΩ @ 650mA,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)150mW
类型N沟道
PJV1702_R1_00001
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PJV1702_R1_00001 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):650mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 650mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道 | PANJIT(强茂) |  | 320.98 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | PJV1702_R1_00001 | PANJIT(强茂) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):650mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 650mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道 | 10+:¥0.207765 100+:¥0.149242 300+:¥0.138493 1000+:¥0.127744 5000+:¥0.122966 10000+:¥0.120606
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