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PHD71NQ03LT,118 /MOSFET TAPE13 PWR-MOS
PHD71NQ03LT,118的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:44 A

Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:120 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Nexperia

下降时间:18 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:150 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13.5 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:PHD71NQ03LT/T3

单位重量:4 g

供应商PHD71NQ03LT,118
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深圳市辉华拓展电子有限公司PHD71NQ03LT,118深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市芯幂科技有限公司PHD71NQ03LT,118深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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13380394549
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PHD71NQ03LT,118TRANSISTOR >30MHZNXP USA Inc.NXP USA Inc.的LOGO770.19 Kbytes共13页PHD71NQ03LT,118的PDF下载地址
PHD71NQ03LT,118连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:10mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO770.19 Kbytes共13页PHD71NQ03LT,118的PDF下载地址
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PHD71NQ03LT,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS1:¥7.6049
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Mouser 贸泽电子
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PHD71NQ03LT,118Nexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:10mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道1+:¥7.4
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