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PHD13005,127 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR NPN BIPO 700V
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:WeEn Semiconductors

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220AB-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V

集电极—基极电压 VCBO:700 V

集电极—射极饱和电压:0.3 V

最大直流电集电极电流:4 A

最大工作温度:+ 150 C

直流电流增益 hFE 最大值:40

商标:WeEn Semiconductors

直流集电极/Base Gain hfe Min:10

Pd-功率耗散:75 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:Transistors

零件号别名:934064308127

单位重量:1.800 g

供应商PHD13005,127
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PHD13005,127NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT TRANSISTOR NPN BIPO 700V1+:¥4.22
10+:¥3.57
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10:¥3.4239
100:¥2.147
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10+:¥3.57
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100+:¥2.6899
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PHD13005,127WeEn(瑞能)集电极电流Ic:4A 额定功率:75W 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:400V1+:¥4.17
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