典型关断延迟时间37 ns

典型接通延迟时间23 ns

典型栅极电荷@Vgs23 nC V @ 5

典型输入电容值@Vds2180 pF V @ 25

安装类型表面贴装

宽度6.22mm

封装类型DPAK

尺寸6.73 x 6.22 x 2.38mm

引脚数目3

最低工作温度-55 °C

最大功率耗散166000 mW

最大栅源电压20 V

最大漏源电压30 V

最大漏源电阻值0.006

最大连续漏极电流75 A

最高工作温度+175 °C

每片芯片元件数目1

类别功率 MOSFET

通道模式增强

通道类型N

配置单

长度6.73mm

高度2.38mm