晶体管类型:NPN - 预偏压
电阻器 - 基底(R1):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2):10 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):100mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):1µA
频率 - 跃迁:230MHz
功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:TO-236AB
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs