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PDTC143XT.215 / Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-236AB T/R
PDTC143XT.215的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Rohs:Lead free / RoHS Compliant

标准包装:3,000

晶体管类型:NPN - Pre-Biased

- 集电极电流(Ic)(最大):100mA

电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V

电阻 - 基地(R1)(欧姆):4.7k

电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆):10k

直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE:50 @ 10mA, 5V

Vce饱和(最大)@ IB,IC:100mV @ 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大):1µA

频率转换:-

功率 - 最大:250mW

安装类型 :Surface Mount

包/盒 :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装:TO-236AB

包装材料 :Tape & Reel (TR)

包装:3TO-236AB

配置:Single

类型:NPN

最大集电极发射极电压:50 V

峰值直流集电极电流:100 mA

最小直流电流增益:50@10mA@5V

工作温度:-65 to 150 °C

安装:Surface Mount

标准包装:Tape & Reel

最低工作温度:-65

最大集电极发射极饱和电压:0.1@0.5mA@10mA

包装宽度:1.4(Max)

PCB:3

最大功率耗散:250

欧盟RoHS指令:Compliant

Maximum Continuous DC Collector Current :100

最大集电极发射极电压:50

供应商封装形式:TO-236AB

标准包装名称:SOT-23

最高工作温度:150

包装长度:3(Max)

引脚数:3

包装高度:1(Max)

典型输入电阻:4.7

封装:Tape and Reel

典型电阻器比率:0.476

铅形状:Gull-wing

电流 - 集电极( Ic)(最大):100mA

晶体管类型:NPN - Pre-Biased

电阻器 - 基( R1 ) (欧姆):4.7k

电流 - 集电极截止(最大):1µA

下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件:100mV @ 500µA, 10mA

电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V

供应商设备封装:SOT-23-3

电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆):10k

功率 - 最大:250mW

封装/外壳:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型:Surface Mount

直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时:50 @ 10mA, 5V

RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant

外形尺寸:3 x 1.4 x 1mm

身高:1mm

长度:3mm

最大集电极发射极饱和电压:0.1 V

最大连续集电极电流:100 mA

最大基地发射极电压:7 V

最高工作温度:+150 °C

最低工作温度:-65 °C

包装类型:TO-236AB

典型输入电阻:4.7 kΩ

宽度:1.4mm

工厂包装数量:3000

产品种类:Transistors Switching - Resistor Biased

晶体管极性:NPN

安装风格:SMD/SMT

集电极 - 发射极最大电压VCEO:50 V

零件号别名:PDTC143XT T/R

RoHS:RoHS Compliant

集电极 - 发射极电压:50 V

直流电流增益(最小值):50

工作温度分类:Military

供应商PDTC143XT.215
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PDTC143XT.215NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 10 kΩ NXP[NXP Semiconductors]NXP[NXP Semiconductors]的LOGO752.07 Kbytes共17页PDTC143XT.215的PDF下载地址
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PDTC143XT.215NXP SemiconductorsTransistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 250mW; SOT23,TO236AB1,000 : $0.011
3,000 : $0.01