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PDC3908Z /连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道
PDC3908Z的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)48A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻8.5mΩ @ 16A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)35W(Tc)

类型N沟道

供应商PDC3908Z
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PDC3908Z连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道Potens(博盛半导体)Potens(博盛半导体)的LOGO822.21 Kbytes共5页PDC3908Z的PDF下载地址
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PDC3908ZPotens(博盛半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道1+:¥0.9717
10+:¥0.7337
30+:¥0.6901
100+:¥0.6464
500+:¥0.6269
1000+:¥0.6173