PDC3908Z
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道
PDC3908Z的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)48A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻8.5mΩ @ 16A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)35W(Tc)
类型N沟道
PDC3908Z
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PDC3908Z | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道 | Potens(博盛半导体) |  | 822.21 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
PDC3908Z的全球分销商及价格
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 立创商城 | PDC3908Z | Potens(博盛半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥0.9717 10+:¥0.7337 30+:¥0.6901 100+:¥0.6464 500+:¥0.6269 1000+:¥0.6173
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