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PDC2603Z /连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):62.5W(Tc) 类型:P沟道
PDC2603Z的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)60A(Tc)

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻8mΩ @ 8A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)62.5W(Tc)

类型P沟道

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PDC2603Z连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):62.5W(Tc) 类型:P沟道Potens(博盛半导体)Potens(博盛半导体)的LOGO1.16 Mbytes共5页PDC2603Z的PDF下载地址
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PDC2603ZPotens(博盛半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):62.5W(Tc) 类型:P沟道1+:¥1.286
10+:¥0.9711
30+:¥0.9133
100+:¥0.8555
500+:¥0.8298
1000+:¥0.8171