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PD20015-E /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 13.6V 15W LDMOST family
PD20015-E的规格信息
PD20015-E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:7 A

Vds-漏源极击穿电压:40 V

增益:11 dB

输出功率:15 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerSO-10RF-Formed-4

封装:Tube

配置:Single

高度:3.5 mm

长度:7.5 mm

工作频率:2 GHz

系列:PD20015-E

类型:RF Power MOSFET

宽度:9.4 mm

商标:STMicroelectronics

通道模式:Enhancement

湿度敏感性:Yes

Pd-功率耗散:79 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:400

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:15 V

单位重量:3 g

供应商PD20015-E
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PD20015-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥176.59
10+:¥163.35
25+:¥150.1099
100+:¥139.51
250+:¥128.0301
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PD20015-ESTMicroelectronicsPOWER R.F. - Rail/Tube99 : $16.19
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PD20015-ESTMicroelectronicsTRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF10 : $21.609
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10+:¥163.35
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250+:¥128.0301
500+:¥121.85
1000+:¥114.79
2500+:¥111.25
5000+:¥108.61
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PD20015-ESTMicroelectronics射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 13.6V 15W LDMOST family1:¥180.0316
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Mouser 贸泽电子
PD20015-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥176.59
10+:¥163.35
25+:¥150.1099
100+:¥139.51
250+:¥128.0301
500+:¥121.85
1000+:¥114.79
2500+:¥111.25
5000+:¥108.61400+:¥130.7
800+:¥130.7
1200+:¥120.76
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Richardson RFPD
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