制造商:STMicroelectronics
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:是
晶体管极性:N-Channel
技术:Si
Id-连续漏极电流:7 A
Vds-漏源极击穿电压:40 V
增益:11 dB
输出功率:15 W
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerSO-10RF-Formed-4
封装:Tube
配置:Single
高度:3.5 mm
长度:7.5 mm
工作频率:2 GHz
系列:PD20015-E
类型:RF Power MOSFET
宽度:9.4 mm
商标:STMicroelectronics
通道模式:Enhancement
湿度敏感性:Yes
Pd-功率耗散:79 W
产品类型:RF MOSFET Transistors
工厂包装数量:400
子类别:MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压:15 V
单位重量:3 g