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PD20010-E /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
PD20010-E的规格信息
PD20010-E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:5 A

Vds-漏源极击穿电压:40 V

增益:11 dB

输出功率:10 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerSO-10RF-Formed-4

封装:Tube

配置:Single

高度:3.5 mm

长度:7.5 mm

工作频率:2 GHz

系列:PD20010-E

类型:RF Power MOSFET

宽度:9.4 mm

商标:STMicroelectronics

通道模式:Enhancement

湿度敏感性:Yes

Pd-功率耗散:59 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:400

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:15 V

单位重量:3 g

供应商PD20010-E
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PD20010-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥92.51
10+:¥89.9
100+:¥83.86
250+:¥81.68
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PD20010-ESTMicroelectronicsPOWER R.F. - Rail/Tube99 : $11.53
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PD20010-ESTMicroelectronicsTrans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin(2+Tab) PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
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1 : $14.561242
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PD20010-ESTMicroelectronicsTRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF10 : $16.695
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PD20010-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥92.51
10+:¥89.9
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Mouser 贸泽电子
PD20010-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥92.51
10+:¥89.9
100+:¥83.86
250+:¥81.68
500+:¥79.79
1000+:¥78.771+:¥93.18
10+:¥88.94
100+:¥85.55
250+:¥84.56
500+:¥82.6
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PD20010-ESTMicroelectronicsTrans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube$11.6437
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Verical
PD20010-ESTMicroelectronicsTrans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube$11.633