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P2804NVG /连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A,7A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 5A,10V;28mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道
P2804NVG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)40V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A,7A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻65mΩ @ 5A,10V;28mΩ @ 7A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2W

类型N沟道和P沟道

供应商P2804NVG
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现代芯城(深圳)科技有限公司P2804NVGwww.nowchip.com0755-27381274
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P2804NVGN- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ETC2[List of Unclassifed Manufacturers]ETC2[List of Unclassifed Manufacturers]的LOGO518.78 Kbytes共8页P2804NVG的PDF下载地址DMP3030SN,CEM4301,CEM8311,CED4531,DMP2012SN,CEP12P10,CED20P06,DMP2104V,CEM4311,BSS84_1
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