图像仅供参考,请参阅规格书
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)16A,21A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻28mΩ @ 7A,10V;48mΩ @ 5.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)21W
类型N沟道和P沟道