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NTMFS5C670NLT3G /MOSFET NFET SO8FL 40V 68A 6.7MOH
NTMFS5C670NLT3G的规格信息
NTMFS5C670NLT3G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-FL-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:71 A

Rds On-漏源导通电阻:8.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:20 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:61 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-channel

商标:ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:82 S

下降时间:4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:60 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:11 ns

供应商NTMFS5C670NLT3G
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NTMFS5C670NLT3GON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN$0.74000
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NTMFS5C670NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 68A 6.7MOH1:¥8.0682
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NTMFS5C670NLT3GON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:6.1mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.6W 类型:N沟道1+:¥2.54
10+:¥1.94
30+:¥1.83
100+:¥1.72
500+:¥1.68
1000+:¥1.65