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NTMFS5C460NLT1G /MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
NTMFS5C460NLT1G的规格信息
NTMFS5C460NLT1G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-FL-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:78 A

Rds On-漏源导通电阻:7.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:23 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:50 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ON Semiconductor

下降时间:4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:97 ns

工厂包装数量:1500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:17 ns

典型接通延迟时间:9.2 ns

供应商NTMFS5C460NLT1G
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