FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：70nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：4300pF @ 20V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），110W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：1.5 毫欧 @ 50A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

封装形式Package：DFN

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：40V

连续漏极电流ID：38A

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：4300pF @ 20V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.5 毫欧 @ 50A，10V

FET 类型：N 沟道

漏源极电压（Vdss）：40V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：70nC @ 10V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs