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NTE2396 /TO-220 N-CH 100V 28A
NTE2396的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

封装:TO-220

功耗:150 W

上升时间:77.0 ns

额定电压(DC):100 V

漏源极电阻:77.0 mΩ (max)

极性:N-Channel

漏源极电压(Vds):100V

漏源击穿电压:100 V (min)

连续漏极电流(Ids):28A

安装方式:Through Hole

RoHS标准:Compliant

产品生命周期:Contact Manufacturer

供应商NTE2396
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NTE2396NTE Electronics, Inc.MOSFET,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.077Ohm,ID 28A,TO-220,PD 150W,VGS +/-20V,Qg 69nC+1:$8.26
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NTE2396NTE Electronics, IncMOSFET N-CHANNEL 100V 28A TO220$5.41000
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