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NTE2389 /NTE ELECTRONICS  NTE2389  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 35A, TO-220
NTE2389的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

封装:TO-220

引脚数:3

功耗:125 W

漏源极电阻:40.0 mΩ

极性:N-Channel

漏源极电压(Vds):60.0 V

漏源击穿电压:60.0 V (min)

连续漏极电流(Ids):35.0 A

安装方式:Through Hole

含铅标准:Lead Free

RoHS标准:Compliant

供应商NTE2389
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NTE2389NTE Electronics, Inc.POWER MOSFET N-CHANNEL 60V ID=38A TO-220 CASE HIGH SPEED SWITCH ENHANCEMENT MODE+1:$8.48
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NTE2389NTE Electronics, IncMOSFET N-CHANNEL 60V 35A TO220$7.67000
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NTE2389NTE Electronics IncN CHANNEL MOSFET, 60V, 35A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes500 : $7.44
1,000 : $7.06